مقايسه مادربردهاي GIGABYTE P35-DS3R و ASUS P5K     

آزمايش‌هاي حرارتي:

قطعات مورد استفاده در آزمايش:
پردازنده:          Smithfield 840-XE FSB: 800MHz 3.2GHz
حافظه:           Kingmax DDR2 800MHz 512MB*4
كارت گرافيك:    GV-NX73G128D-RH

موارد آزمايش:
1- مقايسه درجه حرارت مدار تغذيه پردازنده بر روي مادربرد:
      a. آزمايش پردازنده در بار 70 آمپر
      b. آزمايش مادربرد در نرم‌افزار 3Dmark 2006
      c. آزمايش پردازنده P4 در حداكثر بار كاري

مادربرد GIGABYTE P35-DS3R rev 1.0 (با استفاده از نسل دوم طراحي با طول عمر بالا): داراي طراحي مدار تغذيه 6 فاز با 18 عدد  MOSFET با (Rds(on پايين، چوك‌هاي با هسته فريت، استفاده كامل از خازن‌هاي حالت جامد ساخت ژاپن.
مادربرد Asus P5K: داراي طراحي مدار تغذيه 3 فاز با استفاده از 9 عدد MOSFET معمولي و خازن‌هاي الكتروليت غير ژاپني.
نتايج به‌دست آمده: طراحي مدار تغذيه 6 فاز از مدار تغذيه 3 فاز بهتر است، به دليل استفاده از 3 فاز اضافي حرارت توليدي توسط مدار تغذيه پردازنده تا حد زيادي كاهش مي‌يابد.

مادربرد GIGABYTE P35-DS3R rev:1.0 براي ايجاد ولتاژ هسته پردازنده (يا VCORE) از مدار تغذيه با طراحي 6 فاز استفاده مي‌كند. هدف از اين كار افزايش بهره‌وري مخصوصا تحت بارهاي كاري سنگين و هنگامي كه از پردازنده‌هايي مانند Pentium (Extreme Edition) (براي مثال مدل 840XE) استفاده مي‌شود مي‌باشد. كارايي حرارتي در اين حالت بسيار بيشتر مدار تغذيه با طراحي سه فاز قرار گرفته بر روي مادربرد P5K است. به بيان ساده مادربرد P35-DS3R داراي نتايج حرارتي بهتري است.

a. آزمايش پردازنده در بار 70 آمپر: در مادربرد GIGABYTE P35-DS3R درجه حرارت MOSFETهاي ايجاد كننده ولتاژ هسته پردازنده حداكثر 93.2 سانتي‌گراد مي‌باشد.
اما در مادربرد ASUS P5K درجه حرارت MOSFETهاي ايجاد كننده ولتاژ هسته پردازنده حداكثر تا 141.0 درجه سانتي‌گراد است.
تفاوت بين اين دو مادربرد به 47.8 درجه سانتي‌گراد مي‌رسد.

b. آزمايش مادربرد در نرم‌افزار 3Dmark 2006: در مادربرد GIGABYTE P35-DS3R درجه حرارت MOSFETهاي ايجاد كننده ولتاژ هسته پردازنده حداكثر 86.9 سانتي‌گراد مي‌باشد.
اما در مادربرد ASUS P5K درجه حرارت MOSFETهاي ايجاد كننده ولتاژ هسته پردازنده حداكثر تا 105.8 درجه سانتي‌گراد است.
تفاوت بين اين دو مادربرد به 18.9درجه سانتي‌گراد مي‌رسد.

c. آزمايش پردازنده P4 در حداكثر بار كاري: در مادربرد GIGABYTE P35-DS3R درجه حرارت MOSFETهاي ايجاد كننده ولتاژ هسته پردازنده حداكثر 129.0 سانتي‌گراد مي‌باشد.
اما در مادربرد ASUS P5K درجه حرارت MOSFETهاي ايجاد كننده ولتاژ هسته پردازنده حداكثر تا 166.6 درجه سانتي‌گراد است.
تفاوت بين اين دو مادربرد به 37.9 درجه سانتي‌گراد مي‌رسد.

درجه حرارت‌هاي اندازه گيري شده در آزمايش‌هاي مختلف به شرح زير بود:
1. مقايسه درجه حرارت مدار تغذيه پردازنده بر روي مادربرد

A. درجه حرارت اتاق 25 درجه سانتي‌گراد، 70 آمپر بار جريان 20 دقيقه / بدون جريان هواي داخلي، اندازه‌گيري درجه حرارت نقاط مشخص شده پس از 20 دقيقه

مادربرد P35-DS3R	مادربرد ASUS-P5K

آزمايش پردازنده در بار 70 آمپر

B. درجه حرارت اتاق 25 درجه سانتي‌گراد، اجراي نرم‌افزار 3D mark 2006، پردازنده از سيستم خنك سازي مايع استفاده مي‌كند (براي جلوگيري از توليد جريان هواي داخلي) / اندازه‌گيري درجه حرارت نقاط مشخص شده پس از 20 دقيقه

مادربرد P35-DS3R	مادربرد ASUS-P5K

آزمايش مادربرد در نرم‌افزار 3Dmark 2006

C. درجه حرارت اتاق 25 درجه سانتي‌گراد، آزمايش پردازنده P4 در حداكثر بار كاري ، پردازنده از سيستم خنك سازي مايع استفاده مي‌كند (براي جلوگيري از توليد جريان هواي داخلي) / اندازه‌گيري درجه حرارت نقاط مشخص شده پس از 20 دقيقه

مادربرد P35-DS3R	مادربرد ASUS-P5K

آزمايش پردازنده P4 در حداكثر بار كاري

نتيجه‌گيري: مادربرد ASUS P5K با وجود استفاده از لوله‌هاي ناقل حرارت كه پل شمالي و MOSFETها را به يكديگر متصل مي‌كند، در نواحي مختلف داراي درجه حرارت بسيار بالاتري نسبت به مادربرد GIGABYTE P35-DS3R مي‌باشد.
 

ادامه مقالات